Τύπος | Περιγραφή |
Κατάσταση μέρους | Active |
---|---|
Τύπος FET | N-Channel |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 800V |
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 940mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 50µA |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 9nC @ 10V |
Vgs (Μέγ.) | ±20V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 175pF @ 500V |
Δυνατότητα FET | - |
Διασπορά ισχύος (Μέγ.) | 24W (Tc) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Τύπος στερέωσης | Through Hole |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | PG-TO251-3 |
Πακέτο / θήκη | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
---|---|
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |