Τύπος | Περιγραφή |
Κατάσταση μέρους | Active |
---|---|
Τύπος FET | N-Channel |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 60V |
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 58µA |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
Vgs (Μέγ.) | ±20V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 8400pF @ 30V |
Δυνατότητα FET | - |
Διασπορά ισχύος (Μέγ.) | 115W (Tc) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | PG-TO252-3 |
Πακέτο / θήκη | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
---|---|
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |