| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Active |
|---|---|
| Τύπος FET | - |
| Τεχνολογία | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 600V |
| Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 50A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | - |
| Vgs (Μέγ.) | - |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Δυνατότητα FET | - |
| Διασπορά ισχύος (Μέγ.) | 769W (Tc) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Τύπος στερέωσης | Through Hole |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | TO-258 |
| Πακέτο / θήκη | TO-258-3, TO-258AA |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
