| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Active |
|---|---|
| Τύπος FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Δυνατότητα FET | Logic Level Gate |
| Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | - |
| Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 126 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | - |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Ισχύς - Μέγ | 900mW |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
| Πακέτο / θήκη | 6-UFBGA, WLCSP |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | 6-WLCSP (1.0x1.5) |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
