Τύπος | Περιγραφή |
Κατάσταση μέρους | Active |
---|---|
Τύπος FET | 2 N-Channel (Dual) |
Δυνατότητα FET | Logic Level Gate |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 20V |
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 3.4nC @ 4.5V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 10V |
Ισχύς - Μέγ | 1.92W, 1.78W |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
Πακέτο / θήκη | 6-WDFN Exposed Pad |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | MicroFET 3x3mm |
Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
---|---|
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |