| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Active |
|---|---|
| Τύπος διόδων | Single Phase |
| Τεχνολογία | Silicon Carbide Schottky |
| Τάση - Αντίστροφη κορυφή (Μέγιστη) | 1.2kV |
| Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) | 6.6A |
| Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν | 2.1V @ 4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200µA @ 1200V |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Τύπος στερέωσης | Through Hole |
| Πακέτο / θήκη | ISOPLUSi5-Pak™ |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | ISOPLUS i4-PAC™ |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
