| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Active |
|---|---|
| Τύπος FET | N-Channel |
| Τεχνολογία | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 80V |
| Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 1.7A |
| Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 1A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 600µA |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 0.83nC @ 5V |
| Vgs (Μέγ.) | +5.75V, -4V |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 88pF @ 50V |
| Δυνατότητα FET | - |
| Διασπορά ισχύος (Μέγ.) | - |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | Die |
| Πακέτο / θήκη | Die |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
