Τύπος | Περιγραφή |
Κατάσταση μέρους | Active |
---|---|
Τύπος FET | 2 N-Channel (Dual) |
Δυνατότητα FET | Logic Level Gate |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 60V |
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 3.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 10.3nC @ 10V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 502pF @ 30V |
Ισχύς - Μέγ | 1.8W |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
Πακέτο / θήκη | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | 8-SOP |
Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
---|---|
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |