Τύπος | Περιγραφή |
Κατάσταση μέρους | Active |
---|---|
Τύπος FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
Δυνατότητα FET | Standard |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 40V |
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 4.5A (Ta), 3.7A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 3.9A, 10V, 65 mOhm @ 4.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 5.9nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 574pF @ 20V, 587pF @ 20V |
Ισχύς - Μέγ | 1.5W (Ta) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
Πακέτο / θήκη | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | 8-SO |
Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
---|---|
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |