| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Active |
|---|---|
| Τύπος FET | N and P-Channel |
| Δυνατότητα FET | Logic Level Gate |
| Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 30V |
| Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 3.8A, 2.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 422pF @ 15V |
| Ισχύς - Μέγ | 850mW |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
| Πακέτο / θήκη | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | TSOT-26 |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
