Τύπος | Περιγραφή |
Κατάσταση μέρους | Active |
---|---|
Τύπος FET | N and P-Channel |
Δυνατότητα FET | Logic Level Gate |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 20V |
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 7.8A, 6.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 11.6nC @ 4.5V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 1149pF @ 10V |
Ισχύς - Μέγ | 1.8W |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
Πακέτο / θήκη | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | 8-SO |
Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
---|---|
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |