| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Active |
|---|---|
| Τύπος FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Δυνατότητα FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 87A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 50A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 2.5mA |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 180nC @ 20V |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 2.810nF @ 800V |
| Ισχύς - Μέγ | 337W |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | 150°C (TJ) |
| Τύπος στερέωσης | Chassis Mount |
| Πακέτο / θήκη | Module |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | Module |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
