| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Active |
|---|---|
| Τύπος FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Δυνατότητα FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 29.5A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98 mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 1mA (Typ) |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 61.5nC @ 20V |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 800V |
| Ισχύς - Μέγ | 167W |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Τύπος στερέωσης | Chassis Mount |
| Πακέτο / θήκη | Module |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | Module |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
