| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Active |
|---|---|
| Τύπος FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Δυνατότητα FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 500V |
| Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 150A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 6mA |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 434nC @ 10V |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 19600pF @ 25V |
| Ισχύς - Μέγ | 1250W |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Τύπος στερέωσης | Chassis Mount |
| Πακέτο / θήκη | SP6 |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | SP6 |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
