Τύπος | Περιγραφή |
Κατάσταση μέρους | Not For New Designs |
---|---|
Τύπος FET | N-Channel |
Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 600V |
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 6nC @ 10V |
Vgs (Μέγ.) | ±30V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 263pF @ 100V |
Δυνατότητα FET | - |
Διασπορά ισχύος (Μέγ.) | 83W (Tc) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Τύπος στερέωσης | Through Hole |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | TO-262 |
Πακέτο / θήκη | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
---|---|
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |