Τύπος | Περιγραφή |
Κατάσταση μέρους | Active |
---|---|
Τύπος FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Δυνατότητα FET | Logic Level Gate |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 30V |
Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 13A, 15A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.2 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 485pF @ 15V |
Ισχύς - Μέγ | 2.5W |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
Πακέτο / θήκη | 8-WDFN Exposed Pad |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | 8-DFN-EP (3x3) |
Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
---|---|
Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |