| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Obsolete |
|---|---|
| Τύπος FET | P-Channel |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 30V |
| Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
| Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117 mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Vgs (Μέγ.) | ±12V |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 305pF @ 15V |
| Δυνατότητα FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Διασπορά ισχύος (Μέγ.) | 2.8W (Ta) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Τύπος στερέωσης | Surface Mount |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | 6-DFN-EP (2x2) |
| Πακέτο / θήκη | 6-WDFN Exposed Pad |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
