| Τύπος | Περιγραφή |
| Κατάσταση μέρους | Active |
|---|---|
| Τύπος FET | P-Channel |
| Τεχνολογία | MOSFET (Metal Oxide) |
| Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 60V |
| Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C | 38A (Ta) |
| Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Vgs (Μέγ.) | ±20V |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds | 4360pF @ 20V |
| Δυνατότητα FET | - |
| Διασπορά ισχύος (Μέγ.) | 1.65W (Ta), 65W (Tc) |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | 150°C (TJ) |
| Τύπος στερέωσης | Through Hole |
| Πακέτο συσκευής προμηθευτή | TO-262-3 |
| Πακέτο / θήκη | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Καθεστώς rohs | Rohs συμβατό |
|---|---|
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL) | Δεν εφαρμόζεται |
| Κατάσταση κύκλου ζωής | Αποσυνδεδεμένο / τέλος της ζωής |
| Κατηγορία αποθεμάτων | Διαθέσιμο στοκ |
