Menu
ΕλλάδαΕλλάδα
RFQ / παραγγελία
0RFQ / παραγγελία

Δίοδοι - Α&

BAT43WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43WS-E3-18

μέρους: 102179

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 15mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 5ns,

Λίστα επιθυμιών
BAV20WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-HE3-18

μέρους: 173731

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 200mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BAS16WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16WS-E3-18

μέρους: 189318

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 75V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 150mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 6ns,

Λίστα επιθυμιών
BAV19W-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19W-HE3-18

μέρους: 190225

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 200mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BAS386-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS386-TR

μέρους: 129725

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 900mV @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
BAS386-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS386-TR3

μέρους: 101405

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 900mV @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
BAV301-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV301-TR3

μέρους: 162148

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BAV303-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV303-TR3

μέρους: 133566

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BAQ333-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ333-TR3

μέρους: 100523

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
BAS382-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS382-TR

μέρους: 126194

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 30mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 15mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
BAS385-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS385-TR

μέρους: 157417

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 800mV @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
BAS381-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS381-TR3

μέρους: 156476

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 30mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 15mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
BAS385-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS385-TR3

μέρους: 154114

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 800mV @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
BAV300-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV300-TR

μέρους: 181840

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BAV303-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV303-TR

μέρους: 144669

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BAS382-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS382-TR3

μέρους: 133482

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 30mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 15mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
BAQ334-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ334-TR3

μέρους: 175005

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
BAS383-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS383-TR

μέρους: 130859

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 30mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 15mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
BAV302-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV302-TR3

μέρους: 124655

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BAS383-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS383-TR3

μέρους: 155909

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 30mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 15mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
BAV300-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV300-TR3

μέρους: 153770

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BAS381-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS381-TR

μέρους: 152369

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 30mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 15mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
BAQ335-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ335-TR3

μέρους: 119211

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 125V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
BY127MGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY127MGPHE3/54

μέρους: 127537

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1250V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.75A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 5A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 2µs,

Λίστα επιθυμιών
BYD13GGPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYD13GGPHE3/73

μέρους: 192350

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 3µs,

Λίστα επιθυμιών
BYM07-200/32
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM07-200/32

μέρους: 142220

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BYW83TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW83TAP

μέρους: 197438

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 3A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 7.5µs,

Λίστα επιθυμιών
BYV28-150-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV28-150-TAP

μέρους: 158574

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 30ns,

Λίστα επιθυμιών
BYT56A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56A-TR

μέρους: 105112

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 100ns,

Λίστα επιθυμιών
BYV98-100-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV98-100-TAP

μέρους: 183546

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 4A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 35ns,

Λίστα επιθυμιών
BYT56K-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56K-TAP

μέρους: 193746

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 100ns,

Λίστα επιθυμιών
BYT56J-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT56J-TR

μέρους: 197463

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 100ns,

Λίστα επιθυμιών
BYW75TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW75TAP

μέρους: 190284

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 500V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών
BYW172G-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW172G-TAP

μέρους: 180370

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 9A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 100ns,

Λίστα επιθυμιών
BY228GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY228GP-E3/54

μέρους: 135951

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1500V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 2.5A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 2µs,

Λίστα επιθυμιών
BYW172D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW172D-TR

μέρους: 186840

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 9A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 100ns,

Λίστα επιθυμιών