Menu
ΕλλάδαΕλλάδα
RFQ / παραγγελία
0RFQ / παραγγελία

Δίοδοι - Α&

BY268TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY268TAP

μέρους: 122912

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 800mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 400mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 400ns,

Λίστα επιθυμιών
BYV27-050-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-050-TR

μέρους: 170832

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 55V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.07V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 25ns,

Λίστα επιθυμιών
BYT51D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51D-TR

μέρους: 169988

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4µs,

Λίστα επιθυμιών
BYT62-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT62-TR

μέρους: 158535

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 2400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 350mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 3.6V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 5µs,

Λίστα επιθυμιών
BYV12-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV12-TAP

μέρους: 133807

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 300ns,

Λίστα επιθυμιών
BYV37-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV37-TR

μέρους: 166239

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 300ns,

Λίστα επιθυμιών
BYT53A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53A-TAP

μέρους: 162849

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.9A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BYT54M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54M-TR

μέρους: 154344

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.25A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 100ns,

Λίστα επιθυμιών
BY448TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY448TAP

μέρους: 127685

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1500V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 3A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 2µs,

Λίστα επιθυμιών
BYX83TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX83TAP

μέρους: 178566

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4µs,

Λίστα επιθυμιών
BYT52A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52A-TAP

μέρους: 107418

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.4A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών
BYT51B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51B-TAP

μέρους: 155091

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4µs,

Λίστα επιθυμιών
BYT53F-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53F-TAP

μέρους: 140893

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 300V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.9A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BYT51J-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51J-TR

μέρους: 113210

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4µs,

Λίστα επιθυμιών
BYT54K-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54K-TR

μέρους: 120137

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.25A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 100ns,

Λίστα επιθυμιών
BYX83TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX83TR

μέρους: 176417

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4µs,

Λίστα επιθυμιών
BYT53B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53B-TR

μέρους: 161256

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.9A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BYX84TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX84TR

μέρους: 147051

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4µs,

Λίστα επιθυμιών
BYT53C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53C-TAP

μέρους: 127986

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.9A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BYT52M-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52M-TR

μέρους: 178212

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.4A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών
BYT54D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54D-TR

μέρους: 142835

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.25A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 100ns,

Λίστα επιθυμιών
BYV12-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV12-TR

μέρους: 156566

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 300ns,

Λίστα επιθυμιών
BYT53B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53B-TAP

μέρους: 198030

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.9A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BY527TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY527TR

μέρους: 197736

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.65V @ 10A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4µs,

Λίστα επιθυμιών
BY458TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY458TR

μέρους: 132572

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.6V @ 3A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 2µs,

Λίστα επιθυμιών
BY203-12STAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-12STAP

μέρους: 198779

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 250mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.4V @ 200mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 300ns,

Λίστα επιθυμιών
BYW35-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW35-TR

μέρους: 168310

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 500V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών
BYX84TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX84TAP

μέρους: 129025

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4µs,

Λίστα επιθυμιών
BYT51A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51A-TAP

μέρους: 197129

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4µs,

Λίστα επιθυμιών
BYT51M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51M-TAP

μέρους: 143955

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4µs,

Λίστα επιθυμιών
BY527TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY527TAP

μέρους: 135313

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.65V @ 10A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4µs,

Λίστα επιθυμιών
BYT51G-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51G-TAP

μέρους: 191378

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4µs,

Λίστα επιθυμιών
BYV13-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV13-TAP

μέρους: 199601

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 300ns,

Λίστα επιθυμιών
BYX82TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX82TAP

μέρους: 116196

Τύπος διόδων: Avalanche, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 1A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 4µs,

Λίστα επιθυμιών
BYM12-300-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-300-E3/96

μέρους: 143123

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 300V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών
BYM12-400HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-400HE3_A/I

μέρους: 205

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 50ns,

Λίστα επιθυμιών