Menu
ΕλλάδαΕλλάδα
RFQ / παραγγελία
0RFQ / παραγγελία

Δίοδοι - Α&

FEPB16CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16CTHE3/45

μέρους: 90010

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 950mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
GIB2404HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2404HE3/45

μέρους: 87487

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 16A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 975mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
FEPB16GTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16GTHE3/81

μέρους: 68781

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
FEPF16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16GT-E3/45

μέρους: 87524

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
GI2402-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GI2402-E3/45

μέρους: 93768

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 16A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 975mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
FEPB16AT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16AT-E3/81

μέρους: 75310

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 950mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
UGB10BCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10BCTHE3/81

μέρους: 91848

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
VS-10CVH02-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10CVH02-M3/I

μέρους: 3424

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.17V @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
GIB2404-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2404-E3/81

μέρους: 75334

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 16A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 975mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
UGF10FCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF10FCTHE3/45

μέρους: 100678

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 300V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
UGF10GCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF10GCT-E3/45

μέρους: 104940

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
UGB10DCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10DCTHE3/81

μέρους: 91861

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
FEP16FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP16FT-E3/45

μέρους: 47314

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 300V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 16A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
FEP16BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP16BT-E3/45

μέρους: 136770

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 16A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 950mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
FEPF16CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16CT-E3/45

μέρους: 86805

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 950mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
UGF10BCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF10BCTHE3/45

μέρους: 122391

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
GSD2004A-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004A-E3-08

μέρους: 113335

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 240V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 225mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
UGB10CCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10CCTHE3/45

μέρους: 116281

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
UGB10FCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10FCT-E3/81

μέρους: 87382

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 300V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
UGB18CCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18CCT-E3/81

μέρους: 78615

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 18A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 9A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
VS-30CDU06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CDU06-M3/I

μέρους: 80813

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
FEPB16DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16DTHE3/45

μέρους: 89991

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 950mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
FEP16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP16GT-E3/45

μέρους: 61086

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 16A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
GIB2403HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2403HE3/81

μέρους: 72534

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 16A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 975mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
GSD2004C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004C-E3-08

μέρους: 103504

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 240V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 225mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
UGF18BCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF18BCT-E3/45

μέρους: 100246

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 18A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 9A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
VS-16CDU06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CDU06-M3/I

μέρους: 127752

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
GIB2401-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2401-E3/81

μέρους: 75369

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 16A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 975mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
GSD2004S-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004S-HE3-08

μέρους: 140718

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 240V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 225mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MMBD7000-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

MMBD7000-G3-08

μέρους: 126070

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
FEPB16HTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16HTHE3/81

μέρους: 68723

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 500V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
FEPF16ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16ATHE3/45

μέρους: 83728

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 950mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
UGF18BCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF18BCTHE3/45

μέρους: 96893

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 18A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 9A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
SS8P6C-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P6C-M3/86A

μέρους: 196004

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 4A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 700mV @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
GSD2004A-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004A-HE3-18

μέρους: 170818

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 240V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 225mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 100mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
UG18ACT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG18ACT-E3/45

μέρους: 97928

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 18A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 9A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών