Menu
ΕλλάδαΕλλάδα
RFQ / παραγγελία
0RFQ / παραγγελία

Δίοδοι - Α&

VS-6CWQ04FNTRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ04FNTRLPBF

μέρους: 4487

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 3.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 530mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
UB16DCT-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

UB16DCT-E3/8W

μέρους: 99869

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
UG8HCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG8HCT-E3/45

μέρους: 96858

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 500V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 4A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.75V @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
VS-20CTQ035SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ035SPBF

μέρους: 49863

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 760mV @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
U20CCT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

U20CCT-E3/4W

μέρους: 124519

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBR20H90CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR20H90CTHE3/45

μέρους: 3949

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 90V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 770mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
UH4PDC-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

UH4PDC-M3/87A

μέρους: 168308

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 2A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.05V @ 2A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
V20PWM10CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PWM10CHM3/I

μέρους: 150957

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 820mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBR20H60CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR20H60CT-E3/45

μέρους: 3948

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 710mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
VS-40L15CTSTRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40L15CTSTRRPBF

μέρους: 26072

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 15V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 410mV @ 19A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBRF3035CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF3035CT-E3/45

μέρους: 4433

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBRB20H45CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB20H45CT-E3/81

μέρους: 3875

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 630mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
VS-70CRU02PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70CRU02PBF

μέρους: 4056

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 35A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.09V @ 35A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
SBL1640CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL1640CTHE3/45

μέρους: 3968

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
SBLB1630CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB1630CT-E3/81

μέρους: 3972

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
SBLB1040CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB1040CTHE3/81

μέρους: 3956

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBR20H45CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR20H45CTHE3/45

μέρους: 3960

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 630mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
SBLF1040CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLF1040CTHE3/45

μέρους: 4415

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBR25H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR25H35CT-E3/45

μέρους: 4417

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 640mV @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBRB25H35CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB25H35CTHE3/81

μέρους: 3971

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 640mV @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
VS-30CTQ045STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ045STRRPBF

μέρους: 57761

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 760mV @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBRB20H45CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB20H45CTHE3/81

μέρους: 3961

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 630mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBRF20H200CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF20H200CT-E3/45

μέρους: 45611

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 880mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBRF20H45CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF20H45CT-E3/45

μέρους: 3984

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 630mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
VS-20CTH03FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTH03FPPBF

μέρους: 63231

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 300V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
VS-MBRB4045CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB4045CTTRRP

μέρους: 36517

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 580mV @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBRB20H35CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB20H35CTHE3/81

μέρους: 3904

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 630mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
SBLB25L20CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB25L20CT-E3/45

μέρους: 4016

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 12.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 490mV @ 12.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
VS-MBR1545CT-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR1545CT-1PBF

μέρους: 108097

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 7.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 570mV @ 7.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
SB20H200CT-1E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB20H200CT-1E3/45

μέρους: 50873

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 880mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBRB30H100CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB30H100CTHE3/45

μέρους: 5440

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 820mV @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
SS8P5CHM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P5CHM3/87A

μέρους: 3931

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 4A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 700mV @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBRB20H60CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB20H60CTHE3/81

μέρους: 3933

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 710mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
SBL2030CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL2030CT-E3/45

μέρους: 4013

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
VS-HFA08TA60CSTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA08TA60CSTRLP

μέρους: 41690

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.2V @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
VS-12CWQ10FNTRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ10FNTRPBF

μέρους: 4015

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 6A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 800mV @ 6A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών