Δίοδοι - Α& | Διακριτά π& | 97

85CNQ015ASL

μέρους: 3717

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 15V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 80A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

85CNQ015ASM

μέρους: 4452

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 15V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 80A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

87CNQ020ASL

μέρους: 3635

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

87CNQ020ASM

μέρους: 3654

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ080ASM

μέρους: 3712

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 80A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 80A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ080ASL

μέρους: 4456

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 80A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 80A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ150A

μέρους: 3724

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 990mV @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

88CNQ060A

μέρους: 3697

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 580mV @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

88CNQ060ASL

μέρους: 3691

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 580mV @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ035ASL

μέρους: 3697

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 520mV @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ040ASM

μέρους: 3690

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 520mV @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ040ASL

μέρους: 3643

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 740mV @ 80A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

88CNQ060ASM

μέρους: 3635

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 580mV @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ040ASM

μέρους: 3681

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 740mV @ 80A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ040ASL

μέρους: 3672

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 520mV @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ045ASM

μέρους: 3652

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 520mV @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ035ASM

μέρους: 3642

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 520mV @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ035ASM

μέρους: 3654

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 740mV @ 80A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ035ASL

μέρους: 3668

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 740mV @ 80A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

80CPQ020

μέρους: 3686

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 460mV @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

85CNQ015A

μέρους: 3599

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 15V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 450mV @ 80A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

82CNQ030ASL

μέρους: 3616

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 80A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ100A

μέρους: 3587

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 80A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

82CNQ030A

μέρους: 3557

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 80A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ045ASL

μέρους: 3588

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 520mV @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ045A

μέρους: 3592

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 520mV @ 40A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS70-06-V-GS18

μέρους: 142191

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 70V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 410mV @ 1mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28E-200-E3/45

μέρους: 65386

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-100-E3/81

μέρους: 80261

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 18A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.15V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-200-E3/45

μέρους: 88858

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 18A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.15V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV32-200-E3/45

μέρους: 42629

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 18A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.15V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV32-100-E3/45

μέρους: 93655

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 18A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.15V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-50-E3/81

μέρους: 80281

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 18A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.15V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS70-04-G3-08

μέρους: 193313

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 70V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1V @ 15mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28-400HE3/45

μέρους: 117706

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.3V @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV70-G3-08

μέρους: 191793

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 70V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 250mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 150mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών