Τρανζίστο&

2SK3047

2SK3047

μέρους: 8914

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 800V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
2SK3044

2SK3044

μέρους: 8928

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 450V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 7A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 4A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FM6K62010L

FM6K62010L

μέρους: 139710

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 1A, 4V,

Λίστα επιθυμιών
FK3506010L

FK3506010L

μέρους: 128171

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

Λίστα επιθυμιών
MTM861240LBF

MTM861240LBF

μέρους: 149538

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 4V,

Λίστα επιθυμιών
FL6L52030L

FL6L52030L

μέρους: 106438

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 500mA, 4V,

Λίστα επιθυμιών
MTM861280LBF

MTM861280LBF

μέρους: 136480

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 500mA, 4V,

Λίστα επιθυμιών
FL6L52070L

FL6L52070L

μέρους: 110076

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 500mA, 4V,

Λίστα επιθυμιών
SK8403160L

SK8403160L

μέρους: 154055

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 18A (Ta), 70A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 14.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FM6L52020L

FM6L52020L

μέρους: 184582

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 1A, 4V,

Λίστα επιθυμιών
FJ3303010L

FJ3303010L

μέρους: 139518

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 10mA, 4V,

Λίστα επιθυμιών
SK8403190L

SK8403190L

μέρους: 140816

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 10A (Ta), 19A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 70A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FK3906010L

FK3906010L

μέρους: 191710

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

Λίστα επιθυμιών
MTM761110LBF

MTM761110LBF

μέρους: 132833

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 12V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 1A, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών
MTM861270LBF

MTM861270LBF

μέρους: 186233

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4V,

Λίστα επιθυμιών
FK8V03020L

FK8V03020L

μέρους: 179758

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 33V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 14A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 7A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FJ3P02100L

FJ3P02100L

μέρους: 170336

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4.4A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 3.7A, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών
SK8603150L

SK8603150L

μέρους: 49829

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 26A (Ta), 89A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 20A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FK8V03060L

FK8V03060L

μέρους: 119517

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 33V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 3.3A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
MTM981400BBF

MTM981400BBF

μέρους: 60210

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 7A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
SK8403170L

SK8403170L

μέρους: 170273

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 16A (Ta), 59A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 12A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FK8V03030L

FK8V03030L

μέρους: 134632

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 33V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 12A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 6A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FL6L52010L

FL6L52010L

μέρους: 146849

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 1.8 V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4V,

Λίστα επιθυμιών
MTM982400BBF

MTM982400BBF

μέρους: 50877

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 7A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
MTM761230LBF

MTM761230LBF

μέρους: 110440

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 3A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 1A, 4V,

Λίστα επιθυμιών
FK6K02010L

FK6K02010L

μέρους: 118686

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5 mOhm @ 2A, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών
FK8V03050L

FK8V03050L

μέρους: 191195

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 33V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 8A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 4A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FK8V03040L

FK8V03040L

μέρους: 147375

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 33V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 10A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
SK8603160L

SK8603160L

μέρους: 151831

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 22A (Ta), 70A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 17A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FK3P02110L

FK3P02110L

μέρους: 116460

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 24V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 3A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 3A, 2.5V,

Λίστα επιθυμιών
FL5252050R

FL5252050R

μέρους: 159382

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.1A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 4V,

Λίστα επιθυμιών
MTM131270BBF

MTM131270BBF

μέρους: 113071

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 1.8 V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 4V,

Λίστα επιθυμιών
FJ6K01010L

FJ6K01010L

μέρους: 149431

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 12V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 1A, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών
SK8603190L

SK8603190L

μέρους: 172926

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 12A (Ta), 19A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 8A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
SK8603140L

SK8603140L

μέρους: 98069

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 25A (Ta), 103A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 23A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FL6L52060L

FL6L52060L

μέρους: 137602

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 1.8 V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4V,

Λίστα επιθυμιών