Τρανζίστο&

VEC2415-TL-W

μέρους: 107431

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA,

FDMS3602S

μέρους: 50082

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 25V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 15A, 26A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NTQD6968N

μέρους: 2957

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 6.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDMD8580

μέρους: 44299

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 80V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 16A (Ta), 82A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,

FDS8984_F123

μέρους: 2990

NTTFS5C466NLTAG

μέρους: 287

Τύπος FET: N-Channel, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 14A (Ta), 51A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

FDMC8032L

μέρους: 190294

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NTZD3155CT5G

μέρους: 3321

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 540mA, 430mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

NTHD4401PT3G

μέρους: 2940

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

NVMFD5C478NLT1G

μέρους: 6504

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 10.5A (Ta), 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA,

SSD2009ATF

μέρους: 2953

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 50V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDG6303N-F169

μέρους: 2964

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 25V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NTZD3155CT1H

μέρους: 142970

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 540mA, 430mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

ECH8661-TL-HX

μέρους: 3018

FDMD8240L

μέρους: 56888

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 23A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDPC4044

μέρους: 42785

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 27A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDC6432SH

μέρους: 2951

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, 12V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.4A, 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA,

NDC7001C

μέρους: 161454

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 510mA, 340mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 510mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDMC7200S

μέρους: 199650

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 7A, 13A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5C470NT1G

μέρους: 6526

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 11.7A (Ta), 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA,

NTTFS5C658NLTAG

μέρους: 328

FW389-TL-2WX

μέρους: 3022

FW217A-TL-2WX

μέρους: 2947

NTLJD3183CZTAG

μέρους: 2939

Τύπος FET: N and P-Channel, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.6A, 2.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

FDMC8200

μέρους: 148681

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 8A, 12A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMS7620S

μέρους: 128539

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 10.1A, 12.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMS9600S

μέρους: 66311

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 12A, 16A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FW217A-TL-2W

μέρους: 198899

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 35V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 6A, 10V,

NTTFS5C478NLTAG

μέρους: 6464

EFC4626R-TR

μέρους: 135891

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDMC89521L

μέρους: 82261

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 8.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5C478NT1G

μέρους: 6477

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 9.8A (Ta), 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA,

MVDF2C03HDR2G

μέρους: 3013

Τύπος FET: N and P-Channel Complementary, Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4.1A, 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

ECH8662-TL-HX

μέρους: 3098

FDS9958

μέρους: 153191

Τύπος FET: 2 P-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Logic Level Gate, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

FDC8602

μέρους: 148680

Τύπος FET: 2 N-Channel (Dual), Δυνατότητα FET: Standard, Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,