Menu
ΕλλάδαΕλλάδα
RFQ / παραγγελία
0RFQ / παραγγελία

Τρανζίστο&

MMUN2114LT1
ON Semiconductor

MMUN2114LT1

μέρους: 2199

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
MUN2137T1
ON Semiconductor

MUN2137T1

μέρους: 2265

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FJNS4209RBU
ON Semiconductor

FJNS4209RBU

μέρους: 2302

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 40V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
FJNS4209RTA
ON Semiconductor

FJNS4209RTA

μέρους: 2332

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 40V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
DTA113EET1G
ON Semiconductor

DTA113EET1G

μέρους: 118141

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 1 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 1 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
DTC144WET1
ON Semiconductor

DTC144WET1

μέρους: 2213

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FJNS4206RTA
ON Semiconductor

FJNS4206RTA

μέρους: 2270

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
FJV4111RMTF
ON Semiconductor

FJV4111RMTF

μέρους: 2311

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 40V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
FJNS4203RTA
ON Semiconductor

FJNS4203RTA

μέρους: 2368

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
NSBA123JF3T5G
ON Semiconductor

NSBA123JF3T5G

μέρους: 132842

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
DTA144TM3T5G
ON Semiconductor

DTA144TM3T5G

μέρους: 151038

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSBA123EF3T5G
ON Semiconductor

NSBA123EF3T5G

μέρους: 194582

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 2.2 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
DTA114YET1
ON Semiconductor

DTA114YET1

μέρους: 2214

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FJN4308RBU
ON Semiconductor

FJN4308RBU

μέρους: 2246

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
NSVMUN5131T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5131T1G

μέρους: 176865

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 2.2 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FJN3304RTA
ON Semiconductor

FJN3304RTA

μέρους: 2280

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
FJNS4211RTA
ON Semiconductor

FJNS4211RTA

μέρους: 2283

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 40V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
FJNS4210RBU
ON Semiconductor

FJNS4210RBU

μέρους: 2290

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 40V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
NSBA124XF3T5G
ON Semiconductor

NSBA124XF3T5G

μέρους: 157846

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FJNS3213RTA
ON Semiconductor

FJNS3213RTA

μέρους: 2240

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
MUN5214T1
ON Semiconductor

MUN5214T1

μέρους: 2199

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FJN3307RBU
ON Semiconductor

FJN3307RBU

μέρους: 2295

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
MUN5236T1
ON Semiconductor

MUN5236T1

μέρους: 2233

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 100 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 100 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FJN4307RTA
ON Semiconductor

FJN4307RTA

μέρους: 2267

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
MMUN2241LT1G
ON Semiconductor

MMUN2241LT1G

μέρους: 3231

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 100 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FJN4310RTA
ON Semiconductor

FJN4310RTA

μέρους: 2217

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 40V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
MMUN2213LT1
ON Semiconductor

MMUN2213LT1

μέρους: 2255

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSBC144WF3T5G
ON Semiconductor

NSBC144WF3T5G

μέρους: 153684

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
MUN5113T3G
ON Semiconductor

MUN5113T3G

μέρους: 163881

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
DTA144TET1G
ON Semiconductor

DTA144TET1G

μέρους: 171551

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FJNS3215RBU
ON Semiconductor

FJNS3215RBU

μέρους: 2305

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
MMUN2241LT1
ON Semiconductor

MMUN2241LT1

μέρους: 2243

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 100 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FJN3306RBU
ON Semiconductor

FJN3306RBU

μέρους: 5384

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
FJNS3212RTA
ON Semiconductor

FJNS3212RTA

μέρους: 2277

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 40V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
DTC144WM3T5G
ON Semiconductor

DTC144WM3T5G

μέρους: 174511

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
SMUN2212T1G
ON Semiconductor

SMUN2212T1G

μέρους: 154675

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών