Menu
ΕλλάδαΕλλάδα
RFQ / παραγγελία
0RFQ / παραγγελία

Τρανζίστο&

DTC114YM3T5G
ON Semiconductor

DTC114YM3T5G

μέρους: 149165

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
MUN2130T1
ON Semiconductor

MUN2130T1

μέρους: 1886

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 1 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 1 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
DTA144WM3T5G
ON Semiconductor

DTA144WM3T5G

μέρους: 145545

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSVMMUN2133LT1G
ON Semiconductor

NSVMMUN2133LT1G

μέρους: 176066

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FJY3013R
ON Semiconductor

FJY3013R

μέρους: 1891

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
MUN2215T1G
ON Semiconductor

MUN2215T1G

μέρους: 137107

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FJY3014R
ON Semiconductor

FJY3014R

μέρους: 3270

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
MUN2132T1
ON Semiconductor

MUN2132T1

μέρους: 1898

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
DTC115EET1G
ON Semiconductor

DTC115EET1G

μέρους: 184884

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 100 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 100 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FJY4007R
ON Semiconductor

FJY4007R

μέρους: 1870

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
FJX4011RTF
ON Semiconductor

FJX4011RTF

μέρους: 1899

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 40V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
DTA144EET1G
ON Semiconductor

DTA144EET1G

μέρους: 193208

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
DTC143EET1G
ON Semiconductor

DTC143EET1G

μέρους: 145510

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NSVMMUN2232LT3G
ON Semiconductor

NSVMMUN2232LT3G

μέρους: 186770

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
DTA143ZET1
ON Semiconductor

DTA143ZET1

μέρους: 1895

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
MMUN2111LT1G
ON Semiconductor

MMUN2111LT1G

μέρους: 178380

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
SMMUN2114LT1G
ON Semiconductor

SMMUN2114LT1G

μέρους: 131501

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
DTA115EET1G
ON Semiconductor

DTA115EET1G

μέρους: 176363

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 100 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 100 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
MUN2111T3
ON Semiconductor

MUN2111T3

μέρους: 1925

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FJX4005RTF
ON Semiconductor

FJX4005RTF

μέρους: 1869

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
FJY4013R
ON Semiconductor

FJY4013R

μέρους: 3199

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
FJY4005R
ON Semiconductor

FJY4005R

μέρους: 1926

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
MUN5234T1G
ON Semiconductor

MUN5234T1G

μέρους: 103534

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
MMUN2232LT1G
ON Semiconductor

MMUN2232LT1G

μέρους: 111952

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
SMMUN2211LT1G
ON Semiconductor

SMMUN2211LT1G

μέρους: 199142

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FJY4003R
ON Semiconductor

FJY4003R

μέρους: 1884

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
FJY3012R
ON Semiconductor

FJY3012R

μέρους: 1842

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 40V, Αντίσταση - Βάση (R1): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
NSVMUN5132T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5132T1G

μέρους: 147425

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 4.7 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 4.7 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
DTC124EET1G
ON Semiconductor

DTC124EET1G

μέρους: 143586

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
DTC123EET1G
ON Semiconductor

DTC123EET1G

μέρους: 138870

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 2.2 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FJY3006R
ON Semiconductor

FJY3006R

μέρους: 1849

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών
MUN2211T3G
ON Semiconductor

MUN2211T3G

μέρους: 169238

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
DTA114TXV3T1G
ON Semiconductor

DTA114TXV3T1G

μέρους: 1938

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
DTA123JET1
ON Semiconductor

DTA123JET1

μέρους: 1884

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 2.2 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
MMUN2230LT1
ON Semiconductor

MMUN2230LT1

μέρους: 1914

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 1 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 1 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
MUN5212T1G
ON Semiconductor

MUN5212T1G

μέρους: 121602

Τύπος τρανζίστορ: NPN - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 2.2 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών