Menu
ΕλλάδαΕλλάδα
RFQ / παραγγελία
0RFQ / παραγγελία

Δίοδοι - Α&

NRVBB30H60CTT4G
ON Semiconductor

NRVBB30H60CTT4G

μέρους: 73675

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 620mV @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
FYPF2006DNTU
ON Semiconductor

FYPF2006DNTU

μέρους: 120469

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 710mV @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
NTSB30120CTG
ON Semiconductor

NTSB30120CTG

μέρους: 73997

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 120V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.08V @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
NTSB30U100CTG
ON Semiconductor

NTSB30U100CTG

μέρους: 101770

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 800mV @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
RHRG1560CC
ON Semiconductor

RHRG1560CC

μέρους: 22990

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.1V @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBR60L45WTG
ON Semiconductor

MBR60L45WTG

μέρους: 31157

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
NRTSV30H120CTG
ON Semiconductor

NRTSV30H120CTG

μέρους: 99323

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 120V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 7.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 650mV @ 7.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
FFA60UA60DN
ON Semiconductor

FFA60UA60DN

μέρους: 63339

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.2V @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
FYPF2004DNTU
ON Semiconductor

FYPF2004DNTU

μέρους: 146633

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 670mV @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBRF20L60CTG
ON Semiconductor

MBRF20L60CTG

μέρους: 71832

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 570mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
FYP2010DNTU
ON Semiconductor

FYP2010DNTU

μέρους: 58656

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 770mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
NTSJ20120CTG
ON Semiconductor

NTSJ20120CTG

μέρους: 186599

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 120V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBR60L45CTG
ON Semiconductor

MBR60L45CTG

μέρους: 43925

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
NTSB40100CT-1G
ON Semiconductor

NTSB40100CT-1G

μέρους: 74104

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 800mV @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
NTSJ30100CTG
ON Semiconductor

NTSJ30100CTG

μέρους: 184505

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 850mV @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
NTST40100CTG
ON Semiconductor

NTST40100CTG

μέρους: 85353

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 800mV @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
NTSV30120CTG
ON Semiconductor

NTSV30120CTG

μέρους: 184085

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 120V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.18V @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
NTSB20U100CT-1G
ON Semiconductor

NTSB20U100CT-1G

μέρους: 157651

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 790mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBR2550CT
ON Semiconductor

MBR2550CT

μέρους: 34625

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 12.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 12.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
NTSB40100CTG
ON Semiconductor

NTSB40100CTG

μέρους: 97239

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 800mV @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBRF10H150CTG
ON Semiconductor

MBRF10H150CTG

μέρους: 85174

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 150V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 850mV @ 5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
FFSH20120ADN-F155
ON Semiconductor

FFSH20120ADN-F155

μέρους: 2915

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.75V @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBR3060PT
ON Semiconductor

MBR3060PT

μέρους: 3256

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 750mV @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBRB2060CTT4G
ON Semiconductor

MBRB2060CTT4G

μέρους: 53373

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 950mV @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBR30H30CTG
ON Semiconductor

MBR30H30CTG

μέρους: 101861

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 480mV @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
NRVBD660CTG-VF01
ON Semiconductor

NRVBD660CTG-VF01

μέρους: 158106

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 700mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
NTST60100CTG
ON Semiconductor

NTST60100CTG

μέρους: 65554

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 840mV @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
NTST30120CTG
ON Semiconductor

NTST30120CTG

μέρους: 154950

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 120V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.08V @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
NTSJ3080CTG
ON Semiconductor

NTSJ3080CTG

μέρους: 175636

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 850mV @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MURB1620CTRT4G
ON Semiconductor

MURB1620CTRT4G

μέρους: 80200

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
NRVUB1660CTT4G
ON Semiconductor

NRVUB1660CTT4G

μέρους: 40099

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 8A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBRB41H100CTT4G
ON Semiconductor

MBRB41H100CTT4G

μέρους: 62577

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 800mV @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
FFSH4065ADN-F155
ON Semiconductor

FFSH4065ADN-F155

μέρους: 2927

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 650V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 22A (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.75V @ 20A, Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBRP3045NTU
ON Semiconductor

MBRP3045NTU

μέρους: 69150

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 650mV @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
FYP1010DNTU
ON Semiconductor

FYP1010DNTU

μέρους: 78822

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 950mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MURHB840CTG
ON Semiconductor

MURHB840CTG

μέρους: 45517

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 4A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.2V @ 4A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών