Menu
ΕλλάδαΕλλάδα
RFQ / παραγγελία
0RFQ / παραγγελία

Δίοδοι - Α&

MBR20100CTG
ON Semiconductor

MBR20100CTG

μέρους: 4485

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 850mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
FYPF2010DNTU
ON Semiconductor

FYPF2010DNTU

μέρους: 56359

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 770mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MMBD2835LT1G
ON Semiconductor

MMBD2835LT1G

μέρους: 179270

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
NSDEMP11XV6T1G
ON Semiconductor

NSDEMP11XV6T1G

μέρους: 199244

Διαμόρφωση διόδων: 2 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
MSRD620CTT4RG
ON Semiconductor

MSRD620CTT4RG

μέρους: 198828

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 3A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.15V @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
SBAW56LT1G
ON Semiconductor

SBAW56LT1G

μέρους: 167855

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 70V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 150mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
MMBD1505A
ON Semiconductor

MMBD1505A

μέρους: 149424

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 200mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
DCB010-TB-E
ON Semiconductor

DCB010-TB-E

μέρους: 4220

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
SBS822-S-TL-W
ON Semiconductor

SBS822-S-TL-W

μέρους: 185178

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 460mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
DAP222M3T5G
ON Semiconductor

DAP222M3T5G

μέρους: 199252

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
NTSW60200CTG
ON Semiconductor

NTSW60200CTG

μέρους: 4459

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.9V @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
NSVBAV70DXV6T5G
ON Semiconductor

NSVBAV70DXV6T5G

μέρους: 110880

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 200mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.25V @ 150mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
NTSB40200CTG
ON Semiconductor

NTSB40200CTG

μέρους: 4226

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.45V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
DJ85_FYPF1545
ON Semiconductor

DJ85_FYPF1545

μέρους: 4306

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
NSDEMP11XV6T5G
ON Semiconductor

NSDEMP11XV6T5G

μέρους: 198998

Διαμόρφωση διόδων: 2 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
SM1MA142WAT1G
ON Semiconductor

SM1MA142WAT1G

μέρους: 192587

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
SB80W06T-P-TL-H
ON Semiconductor

SB80W06T-P-TL-H

μέρους: 4188

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 4A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBRB1545CTT4G
ON Semiconductor

MBRB1545CTT4G

μέρους: 106434

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 45V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 7.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 570mV @ 7.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBR2535CTLG
ON Semiconductor

MBR2535CTLG

μέρους: 42865

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 35V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 12.5A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 470mV @ 12.5A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
DCC010-TB-E
ON Semiconductor

DCC010-TB-E

μέρους: 4226

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Series Connection, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
MBRB20100CTG
ON Semiconductor

MBRB20100CTG

μέρους: 42831

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 850mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBR60H100CTG
ON Semiconductor

MBR60H100CTG

μέρους: 39436

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 30A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 840mV @ 30A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
NSR0115CQP6T5G
ON Semiconductor

NSR0115CQP6T5G

μέρους: 156757

Διαμόρφωση διόδων: 2 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 15V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100mA (DC), Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 180mV @ 10µA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
SBS822-S-TL-H
ON Semiconductor

SBS822-S-TL-H

μέρους: 4162

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 1A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 460mV @ 1A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
NTSB40200CTT4G
ON Semiconductor

NTSB40200CTT4G

μέρους: 4168

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.45V @ 20A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
SBE805-S-TL-W
ON Semiconductor

SBE805-S-TL-W

μέρους: 156425

Διαμόρφωση διόδων: 2 Independent, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 500mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 500mA, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
DCG010-TL-E
ON Semiconductor

DCG010-TL-E

μέρους: 4259

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 100mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
FFSH10120ADN_F155
ON Semiconductor

FFSH10120ADN_F155

μέρους: 4391

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Silicon Carbide Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A (DC), Ταχύτητα: No Recovery Time > 500mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
MBRB20200CTG
ON Semiconductor

MBRB20200CTG

μέρους: 45770

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 900mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
DCA010-TB-E
ON Semiconductor

DCA010-TB-E

μέρους: 4190

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 80V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 150mA, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 100mA, Ταχύτητα: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Λίστα επιθυμιών
SBR200-16JS
ON Semiconductor

SBR200-16JS

μέρους: 3954

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 160V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 20A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 850mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
FFA60U60DNTU
ON Semiconductor

FFA60U60DNTU

μέρους: 3904

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 2.2V @ 60A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
FFPF20UP20DPTU
ON Semiconductor

FFPF20UP20DPTU

μέρους: 3902

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Anode, Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 10A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.15V @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
SBT80-10J
ON Semiconductor

SBT80-10J

μέρους: 4026

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 8A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 800mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
SB80W06T-H
ON Semiconductor

SB80W06T-H

μέρους: 105282

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 60V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 4A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 600mV @ 3A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών
SBT250-04Y-DL-E
ON Semiconductor

SBT250-04Y-DL-E

μέρους: 4071

Διαμόρφωση διόδων: 1 Pair Common Cathode, Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) (ανά δίοδο): 25A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 550mV @ 10A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών