Menu
ΕλλάδαΕλλάδα
RFQ / παραγγελία
0RFQ / παραγγελία

Τρανζίστο&

FQU5N40TU
ON Semiconductor

FQU5N40TU

μέρους: 69173

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 400V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 3.4A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 1.7A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NDFP03N150CG
ON Semiconductor

NDFP03N150CG

μέρους: 27687

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 Ohm @ 1A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NTD5865N-1G
ON Semiconductor

NTD5865N-1G

μέρους: 944

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 43A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FQI27N25TU-F085
ON Semiconductor

FQI27N25TU-F085

μέρους: 976

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 250V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 25.5A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 12.75A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NTMFS4921NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4921NT3G

μέρους: 907

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95 mOhm @ 30A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FQB1P50TM
ON Semiconductor

FQB1P50TM

μέρους: 52214

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.5A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FDB13AN06A0
ON Semiconductor

FDB13AN06A0

μέρους: 65817

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 10.9A (Ta), 62A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 62A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NTD4905NT4G
ON Semiconductor

NTD4905NT4G

μέρους: 6164

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 12A (Ta), 67A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 30A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NDF10N62ZG
ON Semiconductor

NDF10N62ZG

μέρους: 6123

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 620V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 10A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NTD4857NA-1G
ON Semiconductor

NTD4857NA-1G

μέρους: 921

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 25V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 12A (Ta), 78A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 30A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FQP17P06
ON Semiconductor

FQP17P06

μέρους: 62600

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 17A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 8.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NTTFS5820NLTWG
ON Semiconductor

NTTFS5820NLTWG

μέρους: 937

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 11A (Ta), 37A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 8.7A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NTD4963NT4G
ON Semiconductor

NTD4963NT4G

μέρους: 997

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 8.1A (Ta), 44A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 30A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FDMS2508SDC
ON Semiconductor

FDMS2508SDC

μέρους: 6180

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 25V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 34A (Ta), 49A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95 mOhm @ 28A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NTTFS4943NTAG
ON Semiconductor

NTTFS4943NTAG

μέρους: 873

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 8A (Ta), 41A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 20A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NDD03N50ZT4G
ON Semiconductor

NDD03N50ZT4G

μέρους: 977

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.6A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 Ohm @ 1.15A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NTB6412ANT4G
ON Semiconductor

NTB6412ANT4G

μέρους: 6104

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 58A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2 mOhm @ 58A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NTTFS4840NTWG
ON Semiconductor

NTTFS4840NTWG

μέρους: 905

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4.6A (Ta), 26A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 20A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NDF08N50ZG
ON Semiconductor

NDF08N50ZG

μέρους: 6127

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 8.5A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 3.6A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NTTFS5811NLTAG
ON Semiconductor

NTTFS5811NLTAG

μέρους: 947

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 17A (Ta), 53A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 20A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NTLJS4149PTBG
ON Semiconductor

NTLJS4149PTBG

μέρους: 831

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών
NTMS4935NR2G
ON Semiconductor

NTMS4935NR2G

μέρους: 907

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 10A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 7.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NTTFS4800NTAG
ON Semiconductor

NTTFS4800NTAG

μέρους: 1012

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 5A (Ta), 32A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NDF04N62ZG
ON Semiconductor

NDF04N62ZG

μέρους: 1011

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 620V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4.4A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NTD4959NH-1G
ON Semiconductor

NTD4959NH-1G

μέρους: 950

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 9A (Ta), 58A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FDMS2506SDC
ON Semiconductor

FDMS2506SDC

μέρους: 1013

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 25V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 39A (Ta), 49A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45 mOhm @ 30A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NTMFS4897NFT3G
ON Semiconductor

NTMFS4897NFT3G

μέρους: 954

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 17A (Ta), 171A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 22A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NDD02N60Z-1G
ON Semiconductor

NDD02N60Z-1G

μέρους: 135576

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.2A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 Ohm @ 1A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NDF06N60ZG
ON Semiconductor

NDF06N60ZG

μέρους: 145690

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 7.1A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NTD4904N-35G
ON Semiconductor

NTD4904N-35G

μέρους: 860

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 13A (Ta), 79A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 30A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NTD4960NT4G
ON Semiconductor

NTD4960NT4G

μέρους: 979

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 8.9A (Ta), 55A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NTB6448ANG
ON Semiconductor

NTB6448ANG

μέρους: 920

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 80A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 76A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NTB6448ANT4G
ON Semiconductor

NTB6448ANT4G

μέρους: 953

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 80A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 76A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NTD4905N-1G
ON Semiconductor

NTD4905N-1G

μέρους: 880

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 12A (Ta), 67A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 30A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NTD4965N-35G
ON Semiconductor

NTD4965N-35G

μέρους: 1007

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 13A (Ta), 68A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 30A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FDD4685TF_SB82135
ON Semiconductor

FDD4685TF_SB82135

μέρους: 999

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 8.4A (Ta), 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 8.4A, 10V,

Λίστα επιθυμιών