Menu
ΕλλάδαΕλλάδα
RFQ / παραγγελία
0RFQ / παραγγελία

Τρανζίστο&

NTHL065N65S3F
ON Semiconductor

NTHL065N65S3F

μέρους: 1680

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 46A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 23A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FDB8870
ON Semiconductor

FDB8870

μέρους: 74881

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 23A (Ta), 160A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 35A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FDP8440
ON Semiconductor

FDP8440

μέρους: 14454

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 100A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 80A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FQPF2N60C
ON Semiconductor

FQPF2N60C

μέρους: 67833

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 1A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FCP650N80Z
ON Semiconductor

FCP650N80Z

μέρους: 20449

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 800V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 10A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 4A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
HUF75344P3
ON Semiconductor

HUF75344P3

μέρους: 26613

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 55V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 75A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 75A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FCH130N60
ON Semiconductor

FCH130N60

μέρους: 16153

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 28A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 14A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FDP120N10
ON Semiconductor

FDP120N10

μέρους: 35966

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 74A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 74A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FDB2572
ON Semiconductor

FDB2572

μέρους: 71184

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 150V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4A (Ta), 29A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 9A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NTB6413ANT4G
ON Semiconductor

NTB6413ANT4G

μέρους: 65435

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 42A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 42A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FCH023N65S3-F155
ON Semiconductor

FCH023N65S3-F155

μέρους: 1890

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 75A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 37.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FDP8880
ON Semiconductor

FDP8880

μέρους: 65999

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 11A (Ta), 54A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 40A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NDDP010N25AZT4H
ON Semiconductor

NDDP010N25AZT4H

μέρους: 154191

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 250V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 10A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FDP61N20
ON Semiconductor

FDP61N20

μέρους: 23095

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 61A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 30.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FDB8441
ON Semiconductor

FDB8441

μέρους: 43244

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 28A (Ta), 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 80A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FQA11N90C-F109
ON Semiconductor

FQA11N90C-F109

μέρους: 2541

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 900V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 11A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 5.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FCP25N60N-F102
ON Semiconductor

FCP25N60N-F102

μέρους: 4307

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 25A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 12.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FDA70N20
ON Semiconductor

FDA70N20

μέρους: 25416

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 70A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 35A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FDP038AN06A0
ON Semiconductor

FDP038AN06A0

μέρους: 18637

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 17A (Ta), 80A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 80A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FQA65N20
ON Semiconductor

FQA65N20

μέρους: 11992

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 65A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 32.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FQP11N40C
ON Semiconductor

FQP11N40C

μέρους: 59143

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 400V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 10.5A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 5.25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FDPF16N50
ON Semiconductor

FDPF16N50

μέρους: 34595

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 16A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 8A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FCA22N60N
ON Semiconductor

FCA22N60N

μέρους: 16001

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 22A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 11A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FQP3P20
ON Semiconductor

FQP3P20

μέρους: 73237

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.8A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 1.4A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FDPF16N50UT
ON Semiconductor

FDPF16N50UT

μέρους: 15921

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 15A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 7.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FDP8N50NZ
ON Semiconductor

FDP8N50NZ

μέρους: 42590

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 8A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NTP6412ANG
ON Semiconductor

NTP6412ANG

μέρους: 37942

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 58A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2 mOhm @ 58A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FCPF20N60
ON Semiconductor

FCPF20N60

μέρους: 19872

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 20A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 10A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FQA13N50CF
ON Semiconductor

FQA13N50CF

μέρους: 29308

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 15A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 7.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FCP13N60N
ON Semiconductor

FCP13N60N

μέρους: 29139

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 13A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 258 mOhm @ 6.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FQPF9P25YDTU
ON Semiconductor

FQPF9P25YDTU

μέρους: 54283

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 250V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 6A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 3A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FDP090N10
ON Semiconductor

FDP090N10

μέρους: 28473

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 75A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 75A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
NDTL03N150CG
ON Semiconductor

NDTL03N150CG

μέρους: 23102

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 Ohm @ 1.25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FDB0250N807L
ON Semiconductor

FDB0250N807L

μέρους: 25306

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 80V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 240A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 30A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
FCH47N60N
ON Semiconductor

FCH47N60N

μέρους: 6741

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 47A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 23.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
SFT1342-W
ON Semiconductor

SFT1342-W

μέρους: 150460

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 12A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 6A, 10V,

Λίστα επιθυμιών