Τρανζίστο&

BUK9E1R6-30E,127

BUK9E1R6-30E,127

μέρους: 2576

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK9E15-60E,127

BUK9E15-60E,127

μέρους: 2588

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 54A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK956R1-100E,127

BUK956R1-100E,127

μέρους: 6333

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK958R5-40E,127

BUK958R5-40E,127

μέρους: 2510

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 75A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK954R4-80E,127

BUK954R4-80E,127

μέρους: 2512

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 80V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK952R8-60E,127

BUK952R8-60E,127

μέρους: 2572

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK952R3-40E,127

BUK952R3-40E,127

μέρους: 6262

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK951R9-40E,127

BUK951R9-40E,127

μέρους: 2587

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK951R6-30E,127

BUK951R6-30E,127

μέρους: 6281

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK7E4R0-80E,127

BUK7E4R0-80E,127

μέρους: 2546

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 80V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK9515-60E,127

BUK9515-60E,127

μέρους: 2529

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 54A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK7E1R6-30E,127

BUK7E1R6-30E,127

μέρους: 6300

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK753R5-60E,127

BUK753R5-60E,127

μέρους: 2561

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK751R6-30E,127

BUK751R6-30E,127

μέρους: 6316

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK7Y08-40B/C,115

BUK7Y08-40B/C,115

μέρους: 2544

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 75A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK7Y25-40B/C,115

BUK7Y25-40B/C,115

μέρους: 2544

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 35.3A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK655R0-75C,127

BUK655R0-75C,127

μέρους: 2509

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 75V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK654R6-55C,127

BUK654R6-55C,127

μέρους: 2550

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 55V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 100A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK653R7-30C,127

BUK653R7-30C,127

μέρους: 2483

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 100A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK654R0-75C,127

BUK654R0-75C,127

μέρους: 2520

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 75V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK653R5-55C,127

BUK653R5-55C,127

μέρους: 6308

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 55V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK653R2-55C,127

BUK653R2-55C,127

μέρους: 2570

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 55V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK653R4-40C,127

BUK653R4-40C,127

μέρους: 2554

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 100A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK6510-75C,127

BUK6510-75C,127

μέρους: 2551

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 75V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 77A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK6507-55C,127

BUK6507-55C,127

μέρους: 2513

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 55V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 100A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK9222-55A/C1,118

BUK9222-55A/C1,118

μέρους: 2554

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 55V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 48A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK7210-55B/C1,118

BUK7210-55B/C1,118

μέρους: 2539

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 55V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 75A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK9237-55A/C1,118

BUK9237-55A/C1,118

μέρους: 2513

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 55V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 32A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 15A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK9240-100A/C1,11

BUK9240-100A/C1,11

μέρους: 2553

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 33A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.6 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK7628-100A/C,118

BUK7628-100A/C,118

μέρους: 2564

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 47A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK9535-55,127

BUK9535-55,127

μέρους: 2489

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 55V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 34A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 17A, 5V,

Λίστα επιθυμιών
BUK7524-55,127

BUK7524-55,127

μέρους: 2502

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 55V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 45A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK7213-40A,118

BUK7213-40A,118

μέρους: 2477

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 55A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK9213-30A,118

BUK9213-30A,118

μέρους: 2509

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 55A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK7E4R3-75C,127

BUK7E4R3-75C,127

μέρους: 2562

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 75V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 100A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών
BUK753R4-30B,127

BUK753R4-30B,127

μέρους: 2515

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 75A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

Λίστα επιθυμιών