Τρανζίστο& | Διακριτά π& | 60

IXFH60N65X2-4

μέρους: 207

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 60A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 30A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXFN150N65X2

μέρους: 2029

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 145A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 75A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXTY1N80P

μέρους: 42348

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 800V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 500mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXFZ140N25T

μέρους: 3205

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 250V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 100A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 60A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXTH10N100D2

μέρους: 6735

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1000V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 10A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXTQ30N60L2

μέρους: 5870

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 30A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 15A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXTA34N65X2

μέρους: 221

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 34A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96 mOhm @ 17A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXTR36P15P

μέρους: 10273

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 150V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 22A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXFP26N50P3

μέρους: 19191

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 26A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 13A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXFK250N10P

μέρους: 4468

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 250A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 50A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXFK44N60

μέρους: 3064

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 44A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 22A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXTT74N20P

μέρους: 13180

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 74A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 37A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXFT18N100Q3

μέρους: 4890

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1000V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 18A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660 mOhm @ 9A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXFH60N65X2

μέρους: 7770

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 60A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 30A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXTP120N075T2

μέρους: 26041

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 75V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 60A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXTT500N04T2

μέρους: 6924

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 500A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 100A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXFK520N075T2

μέρους: 6607

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 75V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 520A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 100A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXFN64N60P

μέρους: 3017

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 50A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96 mOhm @ 500mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXTA140P05T

μέρους: 15954

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 50V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 140A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 70A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXFA16N60P3

μέρους: 13714

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 16A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 8A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXTQ30N50P

μέρους: 12067

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 30A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 15A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXTT100N25P

μέρους: 7956

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 250V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 100A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 50A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXTQ170N10P

μέρους: 7983

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 170A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 500mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXFA12N65X2

μέρους: 171

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 12A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310 mOhm @ 6A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXTX8N150L

μέρους: 2596

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 8A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 4A, 20V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXFR48N60Q3

μέρους: 3565

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 32A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 154 mOhm @ 24A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXFH110N25T

μέρους: 11774

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 250V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 110A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 55A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXFK32N80P

μέρους: 7013

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 800V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 32A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 16A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXFL60N80P

μέρους: 3741

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 800V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 40A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 30A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXFR26N100P

μέρους: 2802

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1000V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 15A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 13A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXTH60N20L2

μέρους: 5014

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 60A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 30A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXFX80N60P3

μέρους: 5164

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 80A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 500mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXTT52N30P

μέρους: 13141

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 300V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 52A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 500mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXTQ10P50P

μέρους: 11259

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 10A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXFH6N120P

μέρους: 10070

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 1200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 6A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 500mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IXYS

IXFT60N50P3

μέρους: 7759

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 60A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 30A, 10V,

Λίστα επιθυμιών