Τρανζίστο& | Διακριτά π& | 6

BCR192WE6327HTSA1

μέρους: 1884

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 192T E6327

μέρους: 1842

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 192F E6327

μέρους: 1916

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 192L3 E6327

μέρους: 1847

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 192 B6327

μέρους: 1847

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR191WE6327HTSA1

μέρους: 3227

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 191L3 E6327

μέρους: 1904

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 191T E6327

μέρους: 1869

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 189T E6327

μέρους: 1877

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 191F E6327

μέρους: 1883

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 189F E6327

μέρους: 1898

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 189L3 E6327

μέρους: 3268

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 22 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR185WE6327BTSA1

μέρους: 1845

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 185T E6327

μέρους: 1848

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 185F E6327

μέρους: 1892

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BCR 185L3 E6327

μέρους: 1871

Τύπος τρανζίστορ: PNP - Pre-Biased, Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.): 100mA, Τάση - Κατανομή εκπομπού συλλέκτη (Μέγ.): 50V, Αντίσταση - Βάση (R1): 10 kOhms, Αντίσταση - Βάση πομπού (R2): 47 kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών