Τρανζίστο&

Σπίτι
Τρανζίστο&

IPW65R280C6FKSA1

Infineon Technologies

IPW65R280C6FKSA1

μέρους: 30026

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 13.8A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.4A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPP65R660CFDXKSA1

Infineon Technologies

IPP65R660CFDXKSA1

μέρους: 71639

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 6A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660 mOhm @ 2.1A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

SN7002NH6327XTSA1

Infineon Technologies

SN7002NH6327XTSA1

μέρους: 1468

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPD122N10N3GBTMA1

Infineon Technologies

IPD122N10N3GBTMA1

μέρους: 1414

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 59A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2 mOhm @ 46A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPB65R600C6ATMA1

Infineon Technologies

IPB65R600C6ATMA1

μέρους: 96627

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 7.3A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPL60R210P6AUMA1

Infineon Technologies

IPL60R210P6AUMA1

μέρους: 57470

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 19.2A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 7.6A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPB039N04LGATMA1

Infineon Technologies

IPB039N04LGATMA1

μέρους: 1437

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 80A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 80A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPN50R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

IPN50R1K4CEATMA1

μέρους: 181536

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4.8A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 900mA, 13V,

Λίστα επιθυμιών

IPW65R190C6FKSA1

Infineon Technologies

IPW65R190C6FKSA1

μέρους: 24551

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 20.2A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 7.3A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPP90N04S402AKSA1

Infineon Technologies

IPP90N04S402AKSA1

μέρους: 1192

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 90A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 90A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPW65R310CFDFKSA1

Infineon Technologies

IPW65R310CFDFKSA1

μέρους: 32469

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 11.4A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310 mOhm @ 4.4A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPN50R3K0CEATMA1

Infineon Technologies

IPN50R3K0CEATMA1

μέρους: 109700

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.6A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 13V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 400mA, 13V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

IRFH7107TR2PBF

μέρους: 1447

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 75V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 14A (Ta), 75A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 45A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPN70R600P7SATMA1

Infineon Technologies

IPN70R600P7SATMA1

μέρους: 130801

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 700V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 8.5A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 1.8A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

IRFR4620TRLPBF

μέρους: 102980

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 24A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 15A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPD530N15N3GBTMA1

Infineon Technologies

IPD530N15N3GBTMA1

μέρους: 1479

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 150V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 21A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 18A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

IRLML6244TRPBF

μέρους: 104946

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 6.3A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 6.3A, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Infineon Technologies

IPB072N15N3GE8187ATMA1

μέρους: 1460

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 150V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 100A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 100A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPB65R660CFDATMA1

Infineon Technologies

IPB65R660CFDATMA1

μέρους: 6165

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 6A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660 mOhm @ 2.1A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPN80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

IPN80R750P7ATMA1

μέρους: 9916

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 800V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 7A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 2.7A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPD038N04NGBTMA1

Infineon Technologies

IPD038N04NGBTMA1

μέρους: 1444

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 90A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 90A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPB230N06L3GATMA1

Infineon Technologies

IPB230N06L3GATMA1

μέρους: 1420

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 30A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 30A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

IRL2910PBF

μέρους: 30729

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 55A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 29A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPI65R600C6XKSA1

Infineon Technologies

IPI65R600C6XKSA1

μέρους: 76220

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 7.3A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPN70R2K0P7SATMA1

Infineon Technologies

IPN70R2K0P7SATMA1

μέρους: 9932

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 700V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 3A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPP120N04S402AKSA1

Infineon Technologies

IPP120N04S402AKSA1

μέρους: 1208

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 40V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 100A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPP65R280C6XKSA1

Infineon Technologies

IPP65R280C6XKSA1

μέρους: 48437

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 13.8A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.4A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPI65R110CFDXKSA1

Infineon Technologies

IPI65R110CFDXKSA1

μέρους: 19795

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 31.2A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 12.7A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPL60R085P7AUMA1

Infineon Technologies

IPL60R085P7AUMA1

μέρους: 9982

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 39A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 11.8A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

IPN80R2K4P7ATMA1

μέρους: 9955

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 800V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 800mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPB60R950C6ATMA1

Infineon Technologies

IPB60R950C6ATMA1

μέρους: 1419

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 4.4A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 1.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPB009N03LGATMA1

Infineon Technologies

IPB009N03LGATMA1

μέρους: 9903

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 180A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 100A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPD90R1K2C3BTMA1

Infineon Technologies

IPD90R1K2C3BTMA1

μέρους: 1460

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 900V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 5.1A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

IRFI4410ZGPBF

μέρους: 1390

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 43A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 26A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPB65R380C6ATMA1

Infineon Technologies

IPB65R380C6ATMA1

μέρους: 70807

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 10.6A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.2A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

IPD65R380E6BTMA1

Infineon Technologies

IPD65R380E6BTMA1

μέρους: 93019

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 650V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 10.6A (Tc), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 3.2A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

3600

«
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
»