Τρανζίστο&

Σπίτι
Τρανζίστο&

Infineon Technologies

BSS138N E8004

μέρους: 164

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSS138N E7854

μέρους: 6034

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSS138N E6908

μέρους: 6083

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSS138N E6433

μέρους: 174

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSS127 E6327

μέρους: 172

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 21mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSS126 E6906

μέρους: 106

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 21mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSS126 E6327

μέρους: 152

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 21mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSS123L7874XT

μέρους: 161

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSS119 E7978

μέρους: 169

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSS123 E6433

μέρους: 169

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSS119 E7796

μέρους: 122

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSS119 E6433

μέρους: 145

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSP92P E6327

μέρους: 140

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 250V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 260mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 260mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSP615S2L

μέρους: 129

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 55V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.8A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 1.4A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSP613P

μέρους: 153

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.9A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 2.9A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSP373 E6327

μέρους: 119

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.7A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.7A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSP324 E6327

μέρους: 172

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 400V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 170mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSP372 E6327

μέρους: 155

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.7A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310 mOhm @ 1.7A, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSP320S E6433

μέρους: 110

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.9A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSP320S E6327

μέρους: 88

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.9A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

BSP300L6327HUSA1

Infineon Technologies

BSP300L6327HUSA1

μέρους: 138

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 800V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 190mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 190mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSP318S E6327

μέρους: 158

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.6A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.6A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSP300 E6327

μέρους: 95

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 800V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 190mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 190mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSP299 E6327

μέρους: 166

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 500V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 400mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSP298 E6327

μέρους: 6031

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 400V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

BSP298L6327HUSA1

Infineon Technologies

BSP298L6327HUSA1

μέρους: 5657

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 400V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSP296 E6433

μέρους: 127

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.1A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.1A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSP297 E6327

μέρους: 144

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 660mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSP149 E6906

μέρους: 78

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 660mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

BSP149L6906HTSA1

Infineon Technologies

BSP149L6906HTSA1

μέρους: 6023

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 660mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSP149 E6327

μέρους: 156

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 660mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

BSP135L6906HTSA1

Infineon Technologies

BSP135L6906HTSA1

μέρους: 6085

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

BSP135L6327HTSA1

Infineon Technologies

BSP135L6327HTSA1

μέρους: 106

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSP135 E6906

μέρους: 6091

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Infineon Technologies

BSP135 E6327

μέρους: 155

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 600V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

BSP129L6906HTSA1

Infineon Technologies

BSP129L6906HTSA1

μέρους: 84

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 240V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 350mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

3600

«
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
»