Δίοδοι - Α&

Σπίτι
Δίοδοι - Α&

GeneSiC Semiconductor

1N3291AR

μέρους: 3417

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 100A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N3891R

μέρους: 16921

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 12A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 12A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N4590R

μέρους: 3412

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 150A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 150A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N3880R

μέρους: 13811

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 6A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 6A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N3209

μέρους: 13529

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 15A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N3213

μέρους: 11107

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 500V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 15A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N3880

μέρους: 14083

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 6A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.4V @ 6A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Χρόνος αντίστροφης ανάκτησης (trr): 200ns,

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N2129AR

μέρους: 13690

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 60A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N4594R

μέρους: 3438

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 150A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 150A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N3767

μέρους: 9608

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 900V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 35A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 35A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N2135A

μέρους: 9653

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 60A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N3673A

μέρους: 14041

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1000V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 12A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 12A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N1183

μέρους: 10080

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 35A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 35A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N2137A

μέρους: 9613

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 500V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 60A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N2128A

μέρους: 11407

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 60A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N5830R

μέρους: 5593

Τύπος διόδων: Schottky, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 25V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 25A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 580mV @ 25A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N1200AR

μέρους: 33046

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 12A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 12A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N3291A

μέρους: 3466

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 100A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N5830

μέρους: 5574

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 25V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 25A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 580mV @ 25A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N5827

μέρους: 5625

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 30V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 15A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 470mV @ 15A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N2138A

μέρους: 10413

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 60A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

150K20A

μέρους: 3464

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 150A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.33V @ 150A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N5829

μέρους: 5641

Τύπος διόδων: Schottky, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 20V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 25A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 580mV @ 25A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N4593

μέρους: 3414

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 150A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 150A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N1202A

μέρους: 14566

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 12A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 12A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

150K60A

μέρους: 3470

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 600V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 150A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.33V @ 150A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N6098R

μέρους: 5580

Τύπος διόδων: Schottky, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 40V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 50A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 700mV @ 50A, Ταχύτητα: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N1184R

μέρους: 12133

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 100V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 35A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 35A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N1199AR

μέρους: 23979

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 12A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 12A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N3294A

μέρους: 3476

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 800V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 100A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

150KR40A

μέρους: 3450

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 150A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.33V @ 150A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N3767R

μέρους: 9573

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 900V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 35A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.2V @ 35A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N2131A

μέρους: 8790

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 60A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 60A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N1183AR

μέρους: 10983

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 50V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 40A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.1V @ 40A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N3297AR

μέρους: 3413

Τύπος διόδων: Standard, Reverse Polarity, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 1400V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 100A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

GeneSiC Semiconductor

1N3289A

μέρους: 3418

Τύπος διόδων: Standard, Τάση - DC Reverse (Vr) (Max): 200V, Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io): 100A, Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγ.) @ Εάν: 1.5V @ 100A, Ταχύτητα: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Λίστα επιθυμιών

745

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»