Τρανζίστο& | Διακριτά π& | 40

ZVN2120ASTOB

μέρους: 9780

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 180mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVNL120ASTOA

μέρους: 5991

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 180mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVP1320A

μέρους: 9856

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 70mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVN3306FTC

μέρους: 9843

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 150mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVP1320ASTZ

μέρους: 9873

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 70mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZXMN2A01E6TC

μέρους: 9849

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVP0120ASTOB

μέρους: 9836

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 110mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 Ohm @ 125mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVN3320ASTOB

μέρους: 9826

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVN0124ASTOB

μέρους: 6076

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 240V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 160mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVN4525GTC

μέρους: 9875

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 250V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 310mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVN4306AVSTZ

μέρους: 9822

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.1A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVP4424GTC

μέρους: 9832

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 240V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 480mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 200mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVP1320ASTOB

μέρους: 6070

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 70mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVP3306ASTZ

μέρους: 9812

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 160mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZXMN2A02X8TC

μέρους: 5985

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 6.2A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 11A, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

VN10LFTC

μέρους: 9787

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 150mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVP3310ASTOA

μέρους: 5987

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 140mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZXMN6A08E6TC

μέρους: 9889

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 2.8A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.8A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZXM64N03XTC

μέρους: 9824

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 30V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 5A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.7A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVN0124ZSTOB

μέρους: 9843

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 240V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 160mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVP2106ASTOA

μέρους: 9836

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 280mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVN2535ASTZ

μέρους: 9837

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 350V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 90mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 Ohm @ 100mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVNL120CSTOB

μέρους: 9821

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 180mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVN3310A

μέρους: 85236

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVN3310ASTOA

μέρους: 9838

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVP0545ASTOA

μέρους: 9816

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 450V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 45mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 Ohm @ 50mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVP3310ASTZ

μέρους: 9830

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 140mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZXM66P02N8TC

μέρους: 6016

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 6.4A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVN0540ASTOA

μέρους: 9856

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 400V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 90mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVN4206ASTOB

μέρους: 6003

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 60V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 600mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVN2110GTC

μέρους: 9873

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVN0545ASTOA

μέρους: 9841

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 450V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 90mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZXMN10B08E6TC

μέρους: 9861

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 100V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.6A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 1.6A, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZXMN2A01FTC

μέρους: 9864

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 20V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 1.9A (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVP2120ASTOB

μέρους: 9833

Τύπος FET: P-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 120mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 150mA, 10V,

Λίστα επιθυμιών

Diodes Incorporated

ZVNL120CSTZ

μέρους: 5997

Τύπος FET: N-Channel, Τεχνολογία: MOSFET (Metal Oxide), Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss): 200V, Τρέχουσα - Συνεχής αποστράγγιση (Αναγνωριστικό) @ 25 ° C: 180mA (Ta), Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 5V,

Λίστα επιθυμιών